2026年夏,三星电机与日本住友化学宣布合资3.1亿美元成立GlaSSEM公司,计划于2027年下半年在韩国量产半导体玻璃基板。这一动向标志着下一代半导体封装材料正式进入产业化阶段。
传统芯片封装主要使用有机基板或硅中介层。有机基板成本低但热稳定性差,高速信号传输时容易出现串扰;硅中介层精度高但成本昂贵且尺寸受限。玻璃基板恰好填补了这一空白:
玻璃基板的关键工艺是TGV技术——利用飞秒激光在玻璃上钻出微米级通孔并填充铜,实现芯片间的垂直互连。这种工艺的难点在于:玻璃脆性大,激光功率控制要求极高;铜与玻璃的结合力需要特殊处理;通孔深宽比可达15:1,精度要求极高。目前业界采用的激光诱导刻蚀法(LIDE)已能实现高深宽比通孔的稳定制造。
玻璃基板的透明特性使其在光通信领域具有独特优势。通过直接在玻璃基板上刻蚀光波导,可以实现电信号与光信号的板级集成,无需反复转换,传输速度有望突破102.4Tbps。Intel已在该领域取得突破,在玻璃基板上同时集成了电通路和光波导。
尽管前景广阔,玻璃基板仍面临易碎性、标准缺失和成本控制等挑战。台积电正在推动CoPoS封装标准,计划将玻璃基板尺寸统一为510×515mm;Intel则将良率提升至90%以上。对于FPGA和ASIC设计企业而言,玻璃基板意味着更高带宽、更低功耗的封装方案,将直接提升AI加速器和高速通信芯片的性能。