德国纽伦堡 – 2025年3月11日 – 专注于闪存、32位微控制器（MCU）、传感器、模拟产品和解决方案的领先半导体公司兆易创新（GigaDevice）宣布推出专为1.2 V片上系统（SoC）应用设计的双电源SPI NOR FlashGD25NE系列。

GD25NE系列进一步强化了兆易创新战略性的双电源闪存路线图，实现了与下一代1.2 V SoC的无缝兼容，无需外部升压电路。GD25NE 系列具有更高的性能和更低的功耗，可满足对高级嵌入式存储日益增长的需求，使其成为可穿戴设备、医疗保健、物联网、数据中心和边缘 AI 应用的理想选择。

GD25NE 将 1.8 V 内核电压与 1.2 V I/O 接口电压相结合，支持单、双、四 STR（单传输速率）和四 DTR（双传输速率）作。它在 STR 模式下可实现高达 133 MHz 的高速时钟频率，在 DTR 模式下可实现高达 104 MHz 的高速时钟频率。

GD25NE系列的典型页面编程时间为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其性能明显优于传统的仅1.2 V闪存解决方案，读取性能提高了20%，编程速度提高了60%以上，擦除时间缩短了30%。这些进步使 GD25NE 系列成为新兴嵌入式应用的绝佳选择。

兆易创新副总裁兼闪存事业部总经理苏如伟表示：“GD25NE系列代表了一类新型双电源SPI NOR Flash，实现了高性能和超低功耗的最佳平衡，该解决方案显著降低了功耗，提高了读取速度，并提高了编程/擦除效率，旨在满足下一代1.2 V SoC不断变化的需求。作为我们持续致力于创新的一部分，我们将继续扩展我们的产品组合，为客户提供更高效、更可靠和面向未来的闪存解决方案，用于新的前沿应用。

GD25NE 系列提供从 32 Mb 到 256 Mb 的各种密度，并支持 SOP16 （300 mil） 和 BGA24 （5×5 球阵列）封装选项。该系列的第一款产品 256 Mb GD25NE256H 可提供样品。密度从 32 Mb 到 128 Mb 的其余产品系列将紧随其后。有关这些产品的具体详情和定价，请联系您当地的销售代表。

GD25NE 系列采用超低功耗设计，非常适合能源敏感型应用。它具有仅 0.2 μA 的典型深度掉电电流、104 MHz 时 9mA 的四通道 I/O DTR 读取电流以及低至 8 mA 的编程/擦除电流。与传统的 1.8 V 解决方案相比，1.2 V 设计可将功耗降低高达 50%。这种优化的电源架构不仅提高了电源效率，还简化了系统设计，同时保持了更高的性能。